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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
47
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
33
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3136
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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