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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
47
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
35
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2660
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
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