RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
47
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.6
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
32
Velocità di lettura, GB/s
11.8
22.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3837
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link