Confronto tra le RAM Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

45 52

Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

12 10

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.8 7.6

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1939 2169

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns