RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
45
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
31
Velocità di lettura, GB/s
12.0
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3935
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link