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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
44
Intorno -2% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
44
43
Velocità di lettura, GB/s
13.0
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
1889
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
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