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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
60
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
60
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2590
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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