RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
45
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3419
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link