RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
45
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
41
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3073
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link