RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
45
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
20
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3483
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link