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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
48
Intorno 35% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.9
6.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.9
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
8500
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
31
48
Velocità di lettura, GB/s
6.6
8.9
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
10600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
921
1420
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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