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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.8
6.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
8500
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
31
31
Velocità di lettura, GB/s
6.6
9.8
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
10600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
921
1304
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
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