RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
48
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
24
Velocità di lettura, GB/s
8.9
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3482
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link