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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
47
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
26
Velocità di lettura, GB/s
9.3
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2679
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
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