RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
40
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
34
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3199
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link