RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
40
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
32
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2706
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link