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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
40
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
23
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3195
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GAO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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