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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
40
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
29
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2635
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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