RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
40
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
39
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2159
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link