RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
40
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.6
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
22
Velocità di lettura, GB/s
12.3
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
19.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
4240
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link