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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
41
Intorno -95% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
21
Velocità di lettura, GB/s
11.1
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1348
3437
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F24EB8GS 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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