RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
29
Velocità di lettura, GB/s
7.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
3638
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9L1 2GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link