RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
43
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
34
Velocità di lettura, GB/s
11.0
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
3206
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link