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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
43
Intorno -72% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
25.6
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
25
Velocità di lettura, GB/s
11.0
25.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
20.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
4537
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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