RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
46
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
13.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
27
Velocità di lettura, GB/s
14.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
3288
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link