RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
12.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
46
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
14.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
33
Velocità di lettura, GB/s
14.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
2962
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link