Confronto tra le RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Punteggio complessivo

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

22 29

Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

17.7 15.6

Valore medio nei test

Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.9 12.7

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

23400 21300

Intorno 1.1 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3075 3093

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns