Confronto tra le RAM SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Punteggio complessivo

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

19 77

Intorno -305% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.8 1,884.0

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 6400

Intorno 3 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

564 3435

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns