RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Confronto
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
37
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
30
Velocità di lettura, GB/s
14.7
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2438
3040
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link