RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
55
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
55
Velocità di lettura, GB/s
14.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
25600
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2438
2701
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link