RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Confronto
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
36
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
10.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
22
Velocità di lettura, GB/s
15.0
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2657
3653
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link