Confronto tra le RAM SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 19200

Intorno 1.11% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 36

Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.6 15

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.1 10.1

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2657 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns