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SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Confronto
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
73
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
73
38
Velocità di lettura, GB/s
5.0
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1398
2174
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
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