RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
41
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
27
Velocità di lettura, GB/s
11.6
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
3899
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link