RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
86
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
5.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
86
Velocità di lettura, GB/s
10.7
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
5.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
1220
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link