RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
30
Velocità di lettura, GB/s
10.7
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
2154
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link