RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
45
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
45
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
2190
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link