RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
43
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
41
Velocità di lettura, GB/s
12.3
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
2621
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link