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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Confronto
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
48
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
5.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
8500
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
30
48
Velocità di lettura, GB/s
12.0
8.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.0
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
10600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1948
1420
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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