RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
46
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
42
Velocità di lettura, GB/s
11.6
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1854
2476
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link