RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Confronto
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
11.6
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1854
3606
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link