RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
67
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
13.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
67
Velocità di lettura, GB/s
13.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
1798
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link