RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
41
Intorno -141% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
17
Velocità di lettura, GB/s
10.1
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
3550
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link