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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
49
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
49
Velocità di lettura, GB/s
10.1
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
2534
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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