RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
44
Intorno -120% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
20
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
3022
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link