RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
44
Intorno -159% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
17
Velocità di lettura, GB/s
12.3
21.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
3702
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link