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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
77
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
5.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.1
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
77
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
5.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
1440
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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