RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
65
Intorno -195% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,711.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
22
Velocità di lettura, GB/s
4,018.7
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,711.1
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
3207
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Inmos + 256MB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology BLT8G3D21BCT1.16FN 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link