RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
66
Intorno -128% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
29
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3866
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link