RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
59
Intorno -13% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
52
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2472
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link